La loi de Moore et l’informatique

La législation de Moore, prévision faite par l’ingénieur américain Gordon Moore en 1965 selon laquelle le nombre de transistors par nick de silicium augmente chaque année. Pour tout numéro spécial du journal des appareils électroniques, outil seo Moore devait prévoir les développements au cours de la prochaine décennie. Constatant que la quantité totale d’éléments pendant ces circuits avait à peu près doublé chaque année, il extrapolait allègrement cette augmentation annuelle à dix ans supplémentaires, estimant que les microcircuits de 1975 contiendraient un nombre incroyable de 65 000 composants pour chaque entaille. En 1975, parce que le rythme de développement commençait à ralentir, Moore a modifié son calendrier à 2 ans. Sa loi révisée était un peu pessimiste; plus de 50 ans environ à partir de 1961, le nombre de transistors a plus que doublé à peu près tous les 18 mois. Par conséquent, les publications décrivaient fréquemment la législation de Moore comme si elle était inexorable – une loi technologique utilisant l’assurance des lois du mouvement de Newton. Ce qui a rendu possible cette explosion dramatique de la complexité des circuits, c’est la diminution constante de la taille des transistors au fil des décennies. Calculées en millimètres à la fin des années 1940, les dimensions d’un transistor typique au début des années 2010 étaient communément indiquées en dizaines de nanomètres (un nanomètre étant un milliardième de mètre) – un facteur de réduction de plus de 100000. Des caractéristiques de transistor mesurant moins d’un micron (un micromètre ou un millionième de mètre) avaient été obtenues tout au long des années 1980, lorsque de puissantes puces de mémoire à accessibilité aléatoire (DRAM) ont commencé à offrir des capacités d’espace de stockage de mégaoctets. À l’aube du 21e siècle, ces caractéristiques approchaient de 0,1 micron, ce qui a permis la fabrication de puces de mémoire et de microprocesseurs de gigaoctets fonctionnant à des fréquences gigahertz. La loi de Moore s’est poursuivie dans la deuxième décennie à partir du XXIe siècle avec l’introduction de transistors tridimensionnels d’une taille de dizaines de nanomètres. Mémoire RAM, souvenir à accès entièrement aléatoire, souvenir principal de l’ordinateur personnel où des éléments particuliers peuvent être consultés (lus ou écrits) immédiatement à partir du processeur en très peu de temps, quelle que soit la série (et donc la zone) dans laquelle ils ont été enregistrés. Deux types de souvenirs sont possibles avec des circuits à accès aléatoire, une RAM fixe (SRAM) et une mémoire Ram dynamique (DRAM). Un seul pseudo mémoire est composé de plusieurs millions de matériaux cellulaires de souvenir. À l’intérieur d’une puce SRAM, chaque cellule de mémoire stocke un chiffre binaire (1 ou) tant que l’alimentation est fournie. À l’intérieur d’une puce DRAM, la charge des cellules de mémoire individuelles doit être renouvelée occasionnellement afin de conserver les informations. Parce qu’elle a moins d’éléments, la DRAM demande moins de surface de nick que la SRAM; par conséquent, un pseudo DRAM peut contenir beaucoup plus de souvenirs, bien que son temps d’accès soit plus lent. Cette loi a permis aux systèmes informatiques d’être toujours plus efficaces, jusqu’à présent, là où nous apprécions pleinement la capacité des systèmes informatiques au sein de notre fonction, comme le référencement, la programmation et la conception Web.